| 加工定制 | 否 |
| 類型 | 其他 |
| 規(guī)格 | 50KG |
| 材質(zhì) | 拋光液 |
| 適用范圍 | 表面處理 |
| 品牌 | 深圳市福昌精密磨料 |
| 型號 | 拋光液 |
拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品超過原有的光澤。本產(chǎn)品性能穩(wěn)定、無毒，對環(huán)境無污染等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機(jī)，滾桶式研磨光式機(jī)進(jìn)行拋光；1拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機(jī)的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進(jìn)行適當(dāng)配置），2：拋光時間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定。3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。 英文名polishing slurry拋光液CMP（Chemical Mechanical Polishing） 化學(xué)機(jī)械拋光這兩個概念主要出現(xiàn)在半導(dǎo)體加工過程中，**初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，**性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為**的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的**有效方法。制作步驟依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。2產(chǎn)品類型硅材料拋光液藍(lán)寶石拋光液砷化鎵拋光液鈮酸鋰拋光液鍺拋光液集成電路多次銅布線拋光液集成電路阻擋層拋光液應(yīng)用1. LED行業(yè)目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。2.半導(dǎo)體行業(yè)CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是目前**的可以在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。3參考配方
| 組分 | 投料量（g/L） |
| 硫酸 | 350~400 |
| 硝酸 | 30~50 |
| 雙氧水 | 30~100 |
| 鹽酸 | 40~80 |
| 乙酸 | 20~50 |
| 2-巰基噻唑啉 | 1~3 |
| 硫酸銅 | 1~10 |
| 壬基酚聚氧乙烯醚 | 5~10 |
| 有機(jī)硅消泡劑 | 1~3 |
| 水 | 余量 |
4上市產(chǎn)品硅材料拋光液、藍(lán)寶石拋光液、砷化鎵拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、集成電路多次銅布線拋光液、集成電路阻擋層拋光液、研磨
拋光液、電解
拋光液、不銹鋼電化學(xué)
拋光液,不銹鋼
拋光液、石材專用納米拋光液、氧化鋁拋光液、銅化學(xué)拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液、銅拋光液、玻璃研磨液、藍(lán)寶石研磨液、酸5分類拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋[1]光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液[2]（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。氧化硅拋光液氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。氧化鈰拋光液氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點。適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化硅拋光液是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。6行業(yè)概況供求關(guān)系是一個行業(yè)能否快速發(fā)展的前提。目前來看，市場需求是很大的，而供應(yīng)方面卻略顯不足，尤其是擁有核心知識產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品**的企業(yè)并不多，行業(yè)整體缺乏品牌效應(yīng)。在需求旺盛的階段，行業(yè)需求巨大，發(fā)展前景好，這是毋庸置疑的。但如何保持行業(yè)的健康，穩(wěn)定且可持續(xù)發(fā)展，呼吁業(yè)內(nèi)企業(yè)共同努力，尤其需要發(fā)揮吃毛求疵的研發(fā)精神，進(jìn)一步提高生產(chǎn)工藝，降低成本，真正解決客戶的實際困難，嚴(yán)把質(zhì)量關(guān)，提供**的產(chǎn)品。[1]
參考資料
