關(guān)心半導(dǎo)體的科技粉絲對(duì)氟聚酰亞胺、高純氟化氫、光刻膠不會(huì)陌生,當(dāng)年日本“斷供”韓國(guó)的半導(dǎo)體原材料正是這三種,日韓半導(dǎo)體紛爭(zhēng)讓人們看到了日本在半導(dǎo)體原材料領(lǐng)域的“能量”,而這一次,日系光刻膠斷供的對(duì)象卻極大可能成為我們。
光刻膠斷供傳聞不斷
一則傳聞再次將光刻膠推到了風(fēng)口浪尖。
近期國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傳出繼美國(guó)所屬DuPont 杜邦等公司開(kāi)始逐步減少對(duì)國(guó)內(nèi)光刻膠供應(yīng)后,日系光刻膠大廠信越化學(xué)Shin-Etsu 可能存在限制或者斷供國(guó)內(nèi)中高階晶圓制程光刻膠的可能性,引發(fā)爭(zhēng)議。
不過(guò),目前該消息并沒(méi)有得到明確的證實(shí)。然而,相對(duì)確切的消息是日本宣布解除了對(duì)韓半導(dǎo)體原材料的出口管制,其中也包含光刻膠這一項(xiàng)材料,這讓不少市場(chǎng)人士認(rèn)為“美日荷”聯(lián)手?jǐn)噭?dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響正在擴(kuò)大,通過(guò)利益交換,即將迫使韓國(guó)也加入這場(chǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的對(duì)抗。
而針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域近期一系列對(duì)抗,中方發(fā)言人毛寧在例行新聞發(fā)布會(huì)上表示,“中方注意到相關(guān)報(bào)道,對(duì)荷方用行政手段限制中荷企業(yè)正常經(jīng)貿(mào)往來(lái)的行為表示不滿,已向荷方提出交涉。
近年來(lái),美國(guó)為了剝奪中國(guó)發(fā)展權(quán)利、維護(hù)自身霸權(quán),泛化國(guó)家安全概念,將經(jīng)貿(mào)科技問(wèn)題政治化、工具化,脅迫一些國(guó)家迫使中國(guó)采取出口限制措施。欺凌行為不僅嚴(yán)重破壞了市場(chǎng)規(guī)則和國(guó)際經(jīng)貿(mào)秩序,損害了中國(guó)企業(yè)的合法權(quán)益,而且嚴(yán)重沖擊了全球產(chǎn)業(yè)鏈的穩(wěn)定和世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展,中方對(duì)此表示堅(jiān)決反對(duì)。”
外交部發(fā)言人毛寧
雖然靴子并未落地,但市場(chǎng)擔(dān)憂依舊存在。畢竟光刻膠作為半導(dǎo)體芯片光刻過(guò)程中的核心材料,直接影響集成電路的性能、成品率以及可靠性,但是光刻膠如此重要的材料卻被日本緊緊地扼住了喉嚨。
目前前五大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額,行業(yè)集中度高。其中,日本JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加入達(dá)到72%。并且高分辨率的KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,如陶氏化學(xué)、JSR株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm,以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看,日本是光刻膠行業(yè)的巨頭集中地,具有絕對(duì)的話語(yǔ)權(quán)。
面對(duì)斷供的威脅,我國(guó)光刻膠行業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代化又進(jìn)行到怎樣的程度了呢?
Tips:事件背景
光刻膠斷供事件背景來(lái)自美國(guó)在半導(dǎo)體方面對(duì)我國(guó)的制裁不斷升溫。2022 年10 月7 日美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局(BIS)以國(guó)家安全為由,再次頒布全面出口管制措施,并將31 家中國(guó)實(shí)體列入U(xiǎn)VL 名單。BIS 會(huì)將產(chǎn)品的最終用途可能用于軍事領(lǐng)域的企業(yè)列入U(xiǎn)VL,后續(xù)將根據(jù)審核調(diào)出名單或進(jìn)一步調(diào)入實(shí)體清單(EL)。美國(guó)要求全球所有受到其出口管制條例(EAR)約束的公司,在給UVL 名單中的企業(yè)供貨時(shí)必須先取得許可證。這意味著,海外原材料供應(yīng)商如向國(guó)內(nèi)處于UVL 和EL 名單內(nèi)的公司供貨,需要和美方申請(qǐng)相關(guān)的license。
有可能受沖擊的企業(yè)
隨著美國(guó)出口管制政策的逐步落地,產(chǎn)業(yè)對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠供應(yīng)鏈中海外公司(如美國(guó)杜邦)的持續(xù)供貨能力開(kāi)始產(chǎn)生擔(dān)憂。而日系光刻膠供應(yīng)商在我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠中供應(yīng)比例較大。根據(jù)業(yè)內(nèi)所傳信息,日系廠商申請(qǐng)license 所涉及產(chǎn)品可能包含18nm 以下DRAM、128 層以上NAND 或14nm 以下的邏輯芯片,如license 申請(qǐng)失敗,其他廠商若短期無(wú)法實(shí)現(xiàn)替代,則在系列產(chǎn)品中存在供應(yīng)鏈限供,甚至部分產(chǎn)品斷供可能。
資料來(lái)源:各公司公告,Business Korea,東亞前海證券研究所
這次供應(yīng)鏈的風(fēng)險(xiǎn)主要集中在我國(guó)即將新開(kāi)出的中高制程上,包括中芯南方14nm 以下節(jié)點(diǎn),以及合肥長(zhǎng)鑫17nm以下Dram,還有長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層以上技術(shù)節(jié)點(diǎn),均是未來(lái)幾年較大投入的技術(shù)方向,如光刻膠供應(yīng)出現(xiàn)不穩(wěn)定狀況,在一定程度可能影響擴(kuò)產(chǎn)的進(jìn)度和規(guī)劃。
目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的最新技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)發(fā)展至1x nm,最新情況看影響的業(yè)務(wù)比重約為10%;中芯南方的技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)可以達(dá)到14nm 和7nm,占比不到10%;長(zhǎng)江存儲(chǔ)則在128層以上NAND 產(chǎn)品上投入過(guò)半,最新制程達(dá)到232-L,接近50%在管制范圍以內(nèi)。
此外,已在國(guó)內(nèi)建廠的三星、SK 海力士等公司在中國(guó)大陸的工廠已經(jīng)獲取到一年期許可證,且不在UVL 或EL,目前整體相對(duì)影響較小。
受影響相關(guān)制程技術(shù)需要ArF/ArF immersion 的光刻膠,對(duì)應(yīng)193-134nm 波長(zhǎng)和7nm-45nm 晶圓制程,我國(guó)本土光刻膠企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始在該方向上實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,但短期內(nèi)就該部分實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代有一定難度。受此潛在風(fēng)險(xiǎn)事件催化影響,國(guó)內(nèi)晶圓廠開(kāi)始加快對(duì)本土光刻膠企業(yè)的認(rèn)證和導(dǎo)入速度。
摩爾定律推動(dòng)光刻膠加速迭代
迄今為止,規(guī)模集成電路均采用光刻技術(shù)進(jìn)行加工,光刻的線寬極限和精度直接決定了集成電路的集成度、可靠性和成本。由于光源波長(zhǎng)與加工線寬呈線性關(guān)系,這意味著光源采用更短的波長(zhǎng),將得到更小的圖案、在單位面積上實(shí)現(xiàn)更高的電子元件集成度,這使得芯片性能可以呈指數(shù)增長(zhǎng),而成本卻同步大幅下降。
在摩爾定律的推動(dòng)下,集成電路芯片集成度不斷提高、線寬不斷縮小,光刻膠技術(shù)也不斷發(fā)展,經(jīng)歷了紫外寬譜(300~450nm)、G 線(436nm)、I 線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等一系列技術(shù)平臺(tái),從技術(shù)上經(jīng)歷了環(huán)化橡膠體系、酚醛樹(shù)脂-重氮萘醌體系及化學(xué)放大體系。在設(shè)備、工藝與材料的共同作用下,分辨率從幾十微米發(fā)展到了現(xiàn)在的10nm。
IC 集成度與光刻技術(shù)發(fā)展歷程
而當(dāng)前EUV光刻瓶頸已從光刻機(jī)轉(zhuǎn)向光刻膠。極紫外光刻發(fā)展的過(guò)程非常曲折,其科學(xué)機(jī)理、技術(shù)路線討論以及技術(shù)發(fā)展的歷史已經(jīng)超過(guò)了20 年。發(fā)展至今,極紫外光刻圖形加工的大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用中面臨的最大挑戰(zhàn),就是光源功率與極紫外光刻膠光子吸收效率匹配的問(wèn)題。
光源的功率不足,會(huì)影響芯片的生產(chǎn)效率,這也是過(guò)去多年以來(lái) EUV 技術(shù)一直推遲量產(chǎn)的原因。目前 ASML 的光源功率可以達(dá)到250W,在此功率下,客戶可以達(dá)到每小時(shí)155 片晶圓吞吐量。
光源問(wèn)題解決后,EUV 技術(shù)被提出最多的挑戰(zhàn)即是 EUV 光刻膠,開(kāi)發(fā)新型高靈敏度的 EUV 光刻膠成為關(guān)鍵問(wèn)題。
受制于高端光刻膠的高技術(shù)壁壘,生產(chǎn)工藝復(fù)雜,純度要求高,認(rèn)證周期需要 2-3 年,后發(fā)國(guó)家追趕難度大。我國(guó)以 KrF、ArF 光刻膠為代表的高端半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域市場(chǎng)份額仍然較小,長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷。
半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程
具體而言,G/I 線國(guó)產(chǎn)化率20%,高端KrF、ArF 國(guó)產(chǎn)化率不足5%!拿回行業(yè)話語(yǔ)權(quán),擺脫卡脖子危機(jī)可以說(shuō)是勢(shì)在必行。
國(guó)產(chǎn)替代提速
光刻膠斷供如同一把懸在我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)頭上的達(dá)摩克利斯之劍,好在國(guó)產(chǎn)光刻膠行業(yè)經(jīng)過(guò)多年在底部的打磨,且相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈條開(kāi)始逐步地走向成熟,雖然短期存在著產(chǎn)品和原料供應(yīng)的諸多問(wèn)題,但下游客戶進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代,實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈絕對(duì)安全的訴求日益強(qiáng)烈,也給從業(yè)者帶來(lái)了非常好的發(fā)展機(jī)遇。
容大感光在接受調(diào)研時(shí)表示,經(jīng)過(guò)公司多年來(lái)的技術(shù)攻關(guān),公司的干膜光刻膠、顯示用光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等產(chǎn)品已經(jīng)面向市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了批量銷(xiāo)售,其中部分產(chǎn)品已進(jìn)入核心客戶的供應(yīng)鏈體系,公司目前顯示用光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠的收入大致相當(dāng),2022年1-9月,干膜光刻膠的收入是923.37萬(wàn)元,公司已具備干膜光刻膠的配方及生產(chǎn)技術(shù),但尚未建設(shè)好與之配套的生產(chǎn)廠房及生產(chǎn)線,目前公司干膜光刻膠主要生產(chǎn)環(huán)節(jié)采用外協(xié)加工的模式,其產(chǎn)能受限于合作的外協(xié)加工廠商。
光刻膠國(guó)產(chǎn)化正在提速中
南大光電近日表示,公司正抓緊ArF光刻膠產(chǎn)品認(rèn)證和市場(chǎng)拓展工作,公司光刻膠已經(jīng)通過(guò)了2家公司驗(yàn)證,其中ArF光刻膠驗(yàn)證通常需要18個(gè)月甚至更長(zhǎng)的時(shí)間。
晶瑞電材日前表示,子公司瑞紅(蘇州)電子化學(xué)品股份有限公司2018年完成了“i線光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目后,i線光刻膠產(chǎn)品向中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫、華虹半導(dǎo)體、晶合集成等國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)批量供貨。而華懋科技持股的徐州博康目前ArF即將通過(guò)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)和邏輯芯片大廠認(rèn)證,產(chǎn)品通過(guò)了國(guó)際大公司認(rèn)證,KrF 產(chǎn)品可以覆蓋從65-14nm 性能要求。彤程新材子公司科華目前KrF 已獲得國(guó)內(nèi)最大邏輯芯片大廠認(rèn)證,并開(kāi)始大批量出貨。自備光刻機(jī),加快研發(fā)的進(jìn)度,并通過(guò)并獲得多家一線晶圓廠認(rèn)證資質(zhì)。
資料來(lái)源:各公司公告,東亞前海證券研究所
目前國(guó)內(nèi)晶圓廠等下游客戶正在加速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體光刻膠,實(shí)際認(rèn)證已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入到量產(chǎn)和規(guī)模出貨的階段,在中高端半導(dǎo)體光刻膠方面有了很大突破,在我國(guó)半導(dǎo)體上中下游整體高速發(fā)展的大環(huán)境下,國(guó)產(chǎn)光刻膠行業(yè)完全有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)為危機(jī)!